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Characterization of PECVD Silicon Nitride Photonic Components at 532 and 900 nm Wavelength

机译：pECVD氮化硅光子器件在532和900 nm波长下的表征

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P. Neutensa; A. Subramanianc; M. Ul Hasana; C. Chena; R. Jansena; T. Claesa; X. Rottenberga; Du Boisa; K. Leyssensa; P. Helina; S. Severia; A. Dhakalc; F. Peyskensc; L. Lagaea; P. Deshp; R. Baetsc; P. Van Dorpea;
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年度 2016
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